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微机原理实验指导书(注释版修正版)-3(序列版1)

2019-05-03 格式:PDF

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1、MY起始地址的最高位字节 MY_M EQU H ,片选 MY起始地址的次高位字节 MY_L EQU H ,片选 MY起始地址的低两位字节 ,********************************************************* ADD EQU H* ,写命令时用到的地址 ADDAAA EQU AAAH* ,写命令时用到的地址 ATDW EQU h ,存在的可?#21015;?#25968;据段属性值 ATCE EQU h ,存在的只执?#20889;?#30721;段属性值 Desc STRUC LimitL DW H ,段界限 (BIT-) BaseL DW H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) BaseM DB H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Attributes DB H ,段属性 LimitH DB H ,段界限 (BIT-)(含段属性的高 位 ) BaseH DB H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Desc ENDS DSEG SEGMENT USE GDT LABEL BYTE ID DESC SCODE DESC DATAS DESC ,源数据段 DATAD DESC ,目的数据段描述符 GDTLEN = $-GDT SCODE_SEL = SCODE-GDT DATAS_SEL = DATAS-GDT DATAD_SEL = DATAD-GDT ID DESC ID DESC DSEG ENDS DSEG SEGMENT USE DLEN =$- DSEG ENDS CSEG SEGMENT USE ASSUME CS:CSEG START PROC MOV AX,DATAS_SEL MOV DS,AX MOV AX,DATAD_SEL MOV ES,AX MOV CX,H MOV AL,FH MOV DI,H LOOP: MOV ES:[DI],AL ADD DI, DEC AL LOOP LOOP INT FFH START ENDP CLEN =$- CSEG ENDS END START ,软件擦除 FLASH实验 .P 。

2、 START 实验 - FLASH 存储器扩展实验 . 实验目的 () 学习 FLASH存储器操作原理。 () 了解 ATC FLASH ROM的编程特性。 . 实验设备 PC微机一台, TD-PIT+ 实验?#20302;?#19968;套。 . 实验内容 编写程序对 FLASH ROM单元的 ATC进行数据传输操作,将 PC 机内存中一段数据写入到 FLASH ROM中。并利用 FLASH ROM的擦除和 写保护命令?#28304;?#20648;器进行擦除和写保护。 . 实验原理 () FLASH ROM介绍 可编程只读存储器 FLASH通常也称?#21543;了浮?#23384;储器(或简称“闪存?#20445;?该类型的存储器具有掉电时信息不丢失,块擦除,单一供 电,高密度信息 存储等特点,主要用于保存?#20302;?#24341;导程序和?#20302;?#21442;数等需要长期保存的重 要信息,现在又广泛应用于移动存储设备中。 ATC是一种 V的在系 统可编程可擦除 FLASH ROM,存储容量为 K× bits,其引脚如图 所示。 图 ATC引脚图 () ATC编程特性 FLASH ROM 的操作与 SRAM 不同,数据是以数据块的形式传输。 ATC共有 个扇区,?#21487;?#21306; 字节。当写存储器时,连续的 字节被内部锁存器锁存,然后存储器进入编程周期,将锁存器中的 字 节数据依次写入存储器扇区中,在此期间必须等待 ms 以上再对下一扇 区操作。写一个扇区之前,存储器会自动擦除该扇区全部内容,然后再进 行编程。 ATC 具有软件数据保护功能,启动该功能是通过在编程之前写 入三个连续的程序命令,如图 (a)所示。以后?#30475;?#32534;程之前都要加上这三 个命令,否则数据无法写入。这样可以防止意外的存储器操作,而使数据 被删除。该功能可以通过写入六个连续的程序命令取消,如图 (b)所示。 存储器还提供一个软件擦除功能,通过写入六个连续的程序命令将整个存 储器的内容全部擦除,如图 (c)所示。 (a)写保护命令 (b)取消写保护命令 (c)擦除命令 图 ATC软件编程命令格式 . 实验说明及步骤 本实验要求编写程序将缓冲区内定义的一段数据写到 FLASH ROM的 一个扇区中。并且通过带软件数据保护和不带软件数据保护不同的写入方 法,比较这两种写入方法有什么区别。最后用软件擦除方法擦除 FLA。

3、存储 单元,每个单元为 位字长。 的引脚如图 所示, WE, OE, CE的 共同作用决定了芯片的运行方式。 图 引脚图 () 位总线的存储器接口 位扩展?#20302;?#24635;线提供 XA~ XA, BE~ BE 信号为存储器提供 物理地址。 XA~ XA用来确定一个 字节的存储单元, BE~ BE用来 确定当前操作中所涉及到 字节存储单元中的那个字节。 BE对应 D[:], BE对应 D[:], BE对应 D[:], BE对应 D[:]。其对应关系如 表 所示。 表 BE[:]指示和数据总线?#34892;?#23545;照表 在 SRAM 实验单元中,使用了 片 SRAM 构成 × bits 的 位存储器,存储体分为 体, 体, 体和 体,分别为字节使能线 BE, BE, BE和 BE选通。其电?#26041;?#26500;如图 所示。 图 位存储器单元电?#26041;?#26500;图 () 位存储器操作 在存储器中,从 的整数倍地址开始存放的双字称为规则双字。从 的非整数倍地址开始存放的双字称为非规则双字。 CPU访?#20351;?#21017;双字只需 要一个总线周期, BE, BE, BE和 BE同时?#34892;В?#20174;而同时选通 , , 和 四个存储体。 例如: MOV [], EAX MOV [],EAX 两次规则双字操作对应的时序如图 所示。 图 位存储器规则双字操作时序图 CPU访问非规则双字需要两个总线周期。通过 BE, BE, BE和 BE 在两个周期中选通不同的字节。例如从 的整数倍地址加 的单元开始访 问,第一个总线周期 BE, BE和 BE?#34892;В?#35775;问 个字节,第二个总线 周期地址递增, BE?#34892;В?#35775;问剩余的一个字节。然后自动将 个字 节组 合为一个双字。 例如: MOV [], EAX MOV [], EAX 两次非规则双字操作对应的时序如图 所示。 图 位存储器非规则双字操作时序图 () 位存储器操作 在 位总线上可以进行 位存储器的操作,允许 CPU用字节指令进 行访问。这样的操作相当于 位总线上其它 个字节不访问。如图 中 只对 体存储器 (-)进行操作,其它 个存储器的数据线不连接,字 节使能始终是 BE?#34892;В?字节空间只访?#39318;?#20302;的 个字节。 . 实验说明及步骤 实验?#20302;?#30340;存储 器空间共有 MB,偏移为 H~ 。

4、 微机原理实验指导书 (版本 .) 余有灵 副教授 控制科学与工程系 年 月 日 说明 本实验指导书是依据西安唐都科教仪器公司的产品手册编制,在实验 ?#34892;?#30456;关领导和实验工作人员的帮助下完成的,在此表示?#34892;弧? 本次实验包括 四 个实验?#20302;場?#20219;意完成其中 两 个即可。 实验 - 基本 I/O 接口电路设计实验 . 实验目的 () 掌握基本 I/O接口电路的设计方法。 () 熟练汇编语言 I/O端口操作指令的使用。 . 实验设备 PC微机一台, TD-PIT+ 实验?#20302;?#19968;套。 . 实 验内容 利用三态缓冲器 LS,锁存器 LS设计微机总线和外?#21487;?#22791; 的数据通道,实现微机对外部输入数据的读取和对输出数据的输出。用开 关及 LED显示单元的开关和数据灯作为输入和输出显示设备,将读到开关 的数据显示在数据灯上。 . 实验原理 () 输入接口设计 输入接口一般用三态缓冲器实现,外?#21487;?#22791;输入数据通过三态缓冲 器,通过数据总线传送给微机?#20302;場?LS 是一种 通道双向的三态缓 冲器,其管脚结构如图 所示。 DIR 引脚控制缓冲器数据方向, DIR 为 表示数据由 A[:]至 B[:], DIR 为 表 示数据由 B[:]至 A[:]。 G 引 脚为缓冲器的片选信号,低电?#25509;行А? 图 LS双向三态缓冲器管脚图 () 输出接口设计 输出接口一般用锁存器实现,从总线?#32479;?#30340;数据可以暂存在锁存器 中。 LS是一种 通道上沿触发锁存器。其管脚结构如图 所示。 D[:] 为输入数据线, Q[:]为输出数据线。 CLK 引脚为锁存控制信号,上升沿 ?#34892;А?#24403;上升沿到时,输出数据线锁存输入数据线上的数据。 OE 引脚为 锁存器的片选信号,低电?#25509;行А? 图 LS上沿触发锁存器管脚图 () 输入输出接口设计 用 LS和 LS可以组成一个输入输出接口电路,既实现数据 的输入又实现数据的输出,输入输出可以占用同一个端口。是输入还是输 出用总线?#21015;?#20449;号来区分。总线?#21015;?#21495; IOR 和片选信号 CS 相 “或 ”来控制 输入接口 LS的使能信号 G。总线写信号 IOW和片选信号 CS相 “或 ” 来控制输出接口 LS的锁存信号 CLK。实验?#20302;?#20013;基本输入输出单元 就实现了两组这种的电路。

5、****************************** Y EQU IOY+EH ,译码电路输出 Y对应的端口地址 STACK SEGMENT STACK DW DUP(。) STACK ENDS DATA SEGMENT MES DB 'Press any key to exit。', AH, DH, AH, DH, '$' DATA ENDS CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE,DS:DATA START: MOV AX, DATA MOV DS, AX MOV DX, OFFSET MES ,显示退出提示 MOV AH, H INT H A: MOV DX, Y ,?#21015;?#29255;选接 Y的端口 IN AL, DX OUT DX, AL MOV AH, ,判断是否有按键按下 INT H JZ A ,无按键则跳回继续循环 ,?#24615;?#36864;出 QUIT: MOV AX, CH ,结束程序退出 INT H CODE ENDS END START 实验 - 存储器扩展实验 . 实验目的 () 学习静态存储器操作原理。 () 学习 位总线存储器接口电路设计。 () 掌握不同总线字节宽度访问存储器的编程方法。 . 实验设备 PC微机一台, TD-PIT+ 实验?#20302;?#19968;套。 . 实验内容 在 位扩展?#20302;?#24635;线上分别进行 位存储器扩展和 位存储器扩展 连接。编写程序,将 PC 机内 存中的一段数据传送至扩展的存储器中。并 进行规则和不规则双字?#21015;?#25805;作以及不同的总线字节访问宽度指令操作, 调试程序并分析时序的区别。 . 实验原理 () SRAM 介绍 存储器是用来存储信息的部件,是计算机的重要组成部分,静态 RAM 是由 MOS 管组成的触发器电路,每个触发器可?#28304;?#25918; 位信息。只要不 掉电,所储存的信息就不会丢失。因此,静态 RAM 工作稳定,不要外加 刷新电路,使用方便。但一般 SRAM 的每一个触发器是由 个晶体管组 成, SRAM 芯片的集成度不会太高,目前较常用的有 ( K× 位), ( K× 位)和 ( K× 位)。 SRAM 有 个。

6、值 ATCE EQU h ,存在的只执?#20889;?#30721;段属性值 Desc STRUC LimitL DW H , 段界限 (BIT-) BaseL DW H , ?#20301;?#22320;址 (BIT-) BaseM DB H , ?#20301;?#22320;址 (BIT-) Attributes DB H , 段属性 LimitH DB H , 段界限 (BIT-)(含段属性的高 位 ) BaseH DB H , ?#20301;?#22320;址 (BIT-) Desc ENDS DSEG SEGMENT USE GDT LABEL BYTE ID DESC SCODE DESC DATAS DESC ,源数据段描述符 DATAD DESC ,目的数据段描述符 GDTLEN = $-GDT SCODE_SEL = SCODE-GDT DATAS_SEL = DATAS-GDT DATAD_SEL = DATAD-GDT ID DESC ID DESC DSEG ENDS DSEG SEGMENT USE TDATA DB H,H, H, H, H, H, H, H ,定义源数据段数据 DB H,H,AAH,BBH,CCH,DDH,EEH,FFH DB H,H, H, H, H, H, H, H ,定义源数据段数据 DB H,H,AAH,BBH,CCH,DDH,EEH,FFH DB H,H, H, H, H, H, H, H ,定义源数据段 数据 DB H,H,AAH,BBH,CCH,DDH,EEH,FFH DLEN =$- DSEG ENDS CSEG SEGMENT USE ASSUME CS:CSEG START PROC MOV AX ,DATAS_SEL ,装入数据段 MOV DS ,AX MOV AX, DATAD_SEL MOV ES, AX XOR SI, SI XOR DI, DI MOV CX, H LOOP: MOV AL,DS:[SI] ,将源数据段数据传输到目的数据段 MOV ES:[DI],AL ADD SI, ADD DI, LOOP LOOP INT FFH START ENDP CLEN =$- CSEG ENDS END 。

7、码段属性值 Desc STRUC LimitL DW H ,段界限 (BIT-) BaseL DW H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) BaseM DB H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Attributes DB H ,段属性 LimitH DB H ,段界限 (BIT-)(含段属性的高 位 ) BaseH DB H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Desc ENDS DSEG SEGMENT USE GDT LABEL BYTE ID DESC SCODE DESC DATAS DESC ,源数据段 DATAD DESC ,目的数据段描述符 GDTLEN = $-GDT SCODE_SEL = SCODE-GDT DATAS_SEL = DATAS-GDT DATAD_SEL = DATAD-GDT ID DESC ID DESC DSEG ENDS DSEG SEGMENT USE DLEN =$- DSEG ENDS CSEG SEGMENT USE ASSUME CS:CSEG START PROC MOV AX,DATAD_SEL MOV DS,AX MOV ESI,ADD ,将 AA送入 H MOV [ESI],BYTE PTR AAH MOV ESI,ADDAAA ,将 写入 AAAH MOV [ESI],BYTE PTR H MOV ESI,ADD ,将 写入 H MOV [ESI],BYTE PTR H MOV ESI,ADD ,将 AA写入 H MOV [ESI],BYTE PTR AAH MOV ESI,ADDAAA ,将 写入 AAAH MOV [ESI],BYTE PTR H MOV ESI,ADD ,将 写入 H MOV [ESI],BYTE PTR H INT FFh START ENDP CLEN =$- CSEG ENDS END START ,不带保护写 FLASH实验 .P ,***********根据 CHECK配置信息修改下列符号值 ******************* MY_H EQU DH ,片选 。

8、*** ****根据 CHECK配置信息修改下列符号值 ******************* MY_H EQU DH ,片选 MY起始地址的最高位字节 MY_M EQU H ,片选 MY起始地址的次高位字节 MY_L EQU H ,片选 MY起始地址的低两位字节 ,****** *********************************************** ADD EQU H* ,写命令时用到的地址 ADDAAA EQU AAAH* ,写命令时用到的地址 ATDW EQU h ,存在的可?#21015;?#25968;据段属性值 ATCE EQU h ,存在的只执?#20889;?#30721;段属性值 Desc STRUC LimitL DW H ,段界限 (BIT-) BaseL DW H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) BaseM DB H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Attributes DB H ,段属性 LimitH DB H ,段界限 (BIT-)(含段属性的高 位 ) BaseH DB H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Desc ENDS DSEG SEGMENT USE GDT LABEL BYTE ID DESC SCODE DESC DATAS DESC ,源数据段 DATAD DESC ,目的数据段描述符 GDTLEN = $-GDT SCODE_SEL = SCODE-GDT DATAS_SEL = DATAS-GDT DATAD_SEL = DATAD-GDT ID DESC ID DESC DSEG ENDS DSEG SEGMENT USE DLEN =$- DSEG ENDS CSEG SEGMENT USE ASSUME CS:CSEG START PROC MOV AX,DATAD_SEL MOV DS,AX MOV ESI,ADD MOV [ESI],BYTE PTR AAH MOV ESI,ADDAAA MOV [ESI],BYTE PTR H MOV ESI,ADD MOV [ESI],BYTE PTR H MOV ESI,ADD MOV。

9、SH ROM中的内容。程序编写方法同静态存储器扩展,用 CHECK程序读出存 储器空间始地址。按保护模式程序结构编写,在集成环境里的保护模式调 试环境?#24615;?#34892;。参考线路连接如图 所示。 图 FLASH存储器扩展实验参考接线图 . 实验步骤 () 确认从 PC机引出的两根扁平电缆已经连接在实验平台上。 () 参考如图 所示连接实验电路。 () 首先运行 CHECK程序,查看存储器空间始地址。 () 利用查出的地址分别编写带数据保护写,去掉数据写保护,不带 保护写和软件擦除程序,然后编译链接。 () 在保护模式调试环境下先运?#20889;?#25968;据保护写程序,查看数据是否 写入正确。 () 运行不带保护写程序,查看数据是否写入 (应该无法写入 )。 () 运行去掉写保护程序,再用不带保护写程序写 FLASH,查看数 据写入是否正确。 () 运行软件擦除 FLASH 程序,查看数据是否都已擦除。通过这几 步的操作,分析 FLASH存储器的操作特性。 . 程序代码 ,带保护写 FLASH实验 .P ,***********根据 CHECK配置信息修改下列符号值 ******************* MY_H EQU DH ,片选 MY起始地址的最高位字节 MY_M EQU H ,片选 MY起始地址的次高位字节 MY_L EQU H ,片选 MY起始地 址的低两位字节 ,************* ************************************************* ADD EQU H* ,写命令时用到的地址 ADDAAA EQU AAAH* ,写命令时用到的地址 ATDW EQU h ,存在的可?#21015;?#25968;据段属性值 ATCE EQU h ,存在的只执?#20889;?#30721;段属性值 Desc STRUC LimitL DW H ,段界限 (BIT-) BaseL DW H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) BaseM DB H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Attributes DB H ,段属性 LimitH DB H ,段界限 (BIT-)(含段属性的高 位 ) BaseH DB。

10、FFFFFFH。起 始地址由 PC 机?#20302;?#20998;配,可以用 CHECK 程序读出。分配的存储器空间 远大于 MB,在实地址模式下无法操作,需要在 CPU的保护模式下操作。 实验程序要按照保护模式程序结构编写,在集成环境里的保护模式调试平 台上运行。程序流程如图 所示( a图表示 位存储器操作, b图表示 位存储器操作)。实验接线如图 和图 所示。 (a) 位存储器操作 (b) 位存储器操作 图 存储器扩展实验参考程序流程图 图 位存储器扩 展实验参考接线图 图 位存储器扩展实验参考接线图 . 实验步骤 () 确认从 PC机引出的两根扁平电缆已经连接在实验平台上。 () 按图 或图 所示连接实验线路。 () 首先运行 CHECK程序,查看存储器空间始地址。 () 利用查出的地址编写 位及 位存储器操作的程序,然后编译 链接。 () 在保护模式调试环境 (Tddebug 的 PmRun)下运行程序,查看数据 操作是否正确。 () 将程序改为非规则双字写入操作,调试程序,查看在数据区读出 的存储器数据,分析写入双字的排列规则以及总线操作时序的原 理。 . 程序代码 ,位存储器扩 展实验 (位宽度访问 ) .P ,*********根据 CHECK配置信息修改下列符号值 ************** MY_H EQU DH ,片选 MY起始地址的最高位字节 MY_M EQU H ,片选 MY起始地址的次高位字节 MY_L EQU H ,片选 MY起始地址的低两位字节 ,************** **************************************** ATDW EQU h ,存在的可 ?#21015;?#25968;据段属性值 ATCE EQU h ,存在的只执?#20889;?#30721;段属性值 Desc STRUC LimitL DW H ,段界限 (BIT-) BaseL DW H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) BaseM DB H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Attributes DB H ,段属性 LimitH DB H ,段界限 (BIT-)(含段属性的高 位 ) BaseH DB H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Desc E。

11、任意 A组的电路连接如图 所示。 图 用 LS和 LS组成的输入输出接口电路 . 实验说明及步骤 本实验实现的是将开 关 K[:]的数据通过输入数据通道读入 CPU 的 寄存器,然后再通过输出数据通道将该数据输出到数据灯显示,该程序循 环运行,直到按动键盘上任意按键再退出程序。实验程序流程如图 所示。 参考实验接线如图 所示。 实验步骤如下。 () 确认从 PC机引出的两根扁平电缆已经连接在实验平台上。 () 参考图 所示连接实验线路。 () 首先运行 CHECK 程序,查看并记录与片选信号对应的 I/O 端口 始地址。 () 参考实验流程图编写程序,注意使用正确的端口地址,然后编译 链接。 () 运行程序,拨动开关,观看数据灯显示是否正确。 图 基本 I/O接口设计实验参考程序流程图 图 基本 I/O接口设计实验参考接线图 . 实验程序 : ,位 I/O接口电路设计实验 ,***********根据查看端口资源修改下列符号值 *************** IOY EQU CH ,片选 IOY对应的端口始地址 ,********************************************************* STACK SEGMENT STACK DW DUP(。) STACK ENDS DATA SEGMENT MES DB 'Press any key to exit。', AH, DH, AH, DH, '$' DATA ENDS CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE, DS:DATA START: MOV AX, DATA MOV DS, AX MOV DX, OFFSET MES ,显示退出提示 MOV AH, H INT H A: MOV DX, IOY ,?#21015;?#22522;本 I/O单元低 位的端口 IN AL, DX OUT DX, AL MOV AH, ,判断是否有按键按下 INT H JZ A ,无按键则跳回继续循环,?#24615;?#36864;出 QUIT: MOV AX,CH ,结束程序退出 INT H CODE ENDS END START。

12、 实验 - 地址译码电路设计实验 . 实验目的 () 学习 -译码器在接口电路中的应用。 () 掌握地址译码电路的一般设计方法。 . 实验设备 PC微机一台, TD-PIT+ 实验?#20302;?#19968;套。 . 实验内容 用 LS译码器设计地址译码电路,并用其输出作为基本输入输出 单元的片选信号,使用设计的端口地址编写程序,实现数据的输入输出。 . 实验原理 微机接口电路中,常采用 LS译码器来实现 I/O端口或存储器的 地址译码。 LS 有 个输入引脚, 个控制引脚及 个输出引脚 ,其 管脚信号如图 所示。当 个控制信号?#34892;?#26102;,相应于输入信号 A, B, C 状态的那个输出端为低电平,该信号即可作为片选信号。 图 LS译码器管脚 位扩展?#20302;?#24635;线上有一个 IOM/信号,该信号为低电平时指示当前 操作为 I/O 操作,为高电平指示当前操作为存储器操作,它和译码器不同 的连接可以用来区分是 I/O端口译码还是存储器端口译码。 位总线地址 是由 A开始,所以地址是以 字节边界对齐的。 实验?#20302;?#30340; I/O地址空间共有 字节,偏移地址一般从 H~ FFH。 起始地址由 PC 机?#20302;?#20998;配,可以用 CHECK 程序读出。所以设计地址译 码电路,主要是针对低 位地址线译码,得到偏移在 H~ FFH之间的端 口。本实验要求不使用总线上的片选信号,自行设计端口偏移地址分别为 CH~ DFH和 EH~ FFH的译码电路,然后用译码输出作为基本输入输出 单元的片选。编写程序,完成 I/O 数据操作。实验参考线路如图 -- 所 示。 图 地址译码设计实验参考接线图 . 实验步骤 () 确认从 PC机引出的两根扁平电缆已经连接在实验平台上。 () 按图 所示连接实验线路。 () 首先运行 CHECK程序,查看 I/O端口始地址。 () 利用设计好的端口 地址编写程序,然后编译链接。 () 运行程序,拨动开关,观看数据灯显示是否正确。 . 实验程序 : ,地址译码电路设计实验 ,**********根据查看端口资源修改下列符号值 ******************* IOY EQU CH ,片选 IOY对应的端口始地址 ,*****************************。

13、NDS DSEG SEGMENT USE GDT LABEL BYTE ID DESC SCODE DESC DATAS DESC ,源数据段描述符 DATAD DESC ,目的数据段描述符 GDTLEN = $-GDT SCODE_SEL = SCODE-GDT DATAS_SEL = DATAS-GDT DATAD_SEL = DATAD-GDT ID DESC ID DESC DSEG ENDS DSEG SEGMENT USE TDATA DD H, H, H, H ,定义原数据段数据 DD H, H, H, H DD H, H, H, H ,定义原数据段数据 DD H, H, H, H DD H, H, H, H ,定义原数据段数据 DD H, H, H, H DLEN =$- DSEG ENDS CSEG SEGMENT USE ASSUME CS:CSEG START PROC MOV AX, DATAS_SEL ,装入数据段地址 MOV DS, AX MOV AX, DATAD_SEL MOV ES, AX XOR SI, SI XOR DI, DI ,ADD DI, MOV CX, H LOOP: MOV EAX, DS:[SI] ,将源数据段数据传输到目的数据段 MOV ES:[DI], EAX ADD SI, ADD DI, LOOP LOOP INT FFH START ENDP CLEN =$- CSEG ENDS END START ,位存储器扩 展实验 (位宽度访问 ) .P ,***********根据 CHECK配置信息修改下列符号值 ******************* MY_H EQU DH ,片选 MY起始地址的最高位字节 MY_M EQU H ,片选 MY起始地址的次高位字节 MY_L EQU H ,片选 MY起始地址的低两位字节 ,************************************************************* ATDW EQU h ,存在的可?#21015;?#25968;据段属性。

14、 H ,?#20301;?#22320;址 (BIT-) Desc ENDS DSEG SEGMENT USE GDT LABEL BYTE ID DESC SCODE DESC DATAS DESC ,源数据段 DATAD DESC ,目的数据段描述符 GDTLEN = $-GDT SCODE_SEL = SCODE-GDT DATAS_SEL = DATAS-GDT DATAD_SEL = DATAD-GDT ID DESC ID DESC DSEG ENDS DSEG SEGMENT USE DLEN =$- DSEG ENDS CSEG SEGMENT USE ASSUME CS:CSEG START PROC MOV AX,DATAS_SEL MOV DS,AX MOV AX,DATAD_SEL MOV ES,AX MOV EDI,ADD MOV ES:[EDI],BYTE PTR AAH MOV EDI,ADDAAA MOV ES:[EDI],BYTE PTR H MOV EDI,ADD MOV ES:[EDI],BYTE PTR AH MOV CX,H MOV AL,H MOV DI,H LOOP: MOV ES:[DI],AL ADD DI, INC AL LOOP LOOP INT FFh START ENDP CLEN =$- CSEG ENDS END START ,去除 FLASH写保护实验 .P ,*********根据 CHECK配置信息修改下列符号值 ******************* MY_H EQU DH ,片选 MY起始地址的最高位字节 MY_M EQU H ,片选 MY起始地址的次高位字节 MY_L EQU H ,片选 MY起始地址的低两位字节 ,************* ******************************************** ADD EQU H* ,写命令时用到的地址 ADDAAA EQU AAAH* ,写命令时用到的地址 ATDW EQU h ,存在的可?#21015;?#25968;据段属性值 ATCE EQU h ,存在的只执?#20889;?/p>

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